昆士兰科技大学的寇良志导师诚招PhD
昆士兰科技大学的寇良志导师诚招PhD!下月(9月)中旬开始申请!有需要的速联系!!
要求:雅思6.5或者托福79分(雅思单科不低于6分,托福单科听读写说部分,分别不低于16分,16分,21分和18分;最好能在今年9-10月份之前考过),有力学物理化学或者计算材料背景优先,本科硕士GPA要求6/7(7分制,达到6分以上)。昆士兰科技大学提供奖学金2.6w AUD每年。
昆士兰科技大学位于昆士兰州首府,第三大城市布里斯班市区,这里气候适宜,风景优美,是旅游胜地。另外,这里消费水平相对较低,奖学金足够租房和生活。 学校的地理位置非常好,在市中心的布里斯班河畔,紧挨一个植物园,学习、生活非常 惬意 !
有意者请联系: liangzhi.kou@qut.edu.au, 或者微信:kouliangzhi
同时也非常欢迎申请CSC来我们组。
寇良志导师为人谦虚和善,脾气超好,耐心指导,年轻且科研能力强,课题丰富,经费充足。作为他的学生,我们很幸运,真的收获良多。
寇老师主要利用量化软件(VASP,SIESTA)从事第一原理模拟,研究兴趣包括低维纳米材料的力电磁耦合,气体捕获和催化,能源材料,拓扑绝缘体等。
发表文章:
已在物理,化学材料领域国际顶尖杂志发表96篇文章(四篇邀请综述),引用3600次,其中包括Nano Lett.; ACS Nano; Adv. Mater.; NPG Asia Mater.; J.
Phys. Chem. Lett.; 等。
10篇代表作:
1. C. Jin, Y. Dai, L. Kou, A Janus MoSSe monolayer: a superior and strain-sensitive gas sensing material, J. Mater. Chem. A, 7, 1099, 2019.
2. L. Kou, Y. Ma, Z. Sun, T. Heine, C. Chen, Two-Dimensional Topological Insulators: Progress and Prospects,J. Phys. Chem. Lett. 8, 1905, 2017.
3 .L. Kou, Y. Ma, C. Tang, Z. Sun, A. Du and C. Chen, Auxetic and Ferroelastic Borophane: A Novel 2D Material with Negative Possion’s Ratio and Switchable Dirac Transport Channels, Nano Lett. 16, 7910, 2016.
4. L. Kou, C. Chen, S. Smith, Phosphene: Fabrication, Properties and Applications, J. Phys. Chem. Lett. 6, 2794, 2015.
5. L. Kou, T. Frauenheim, C. Chen, Phosphorene as a Superior Gas Sensor: Selective Adsorption and Distinct I–V Response, J. Phys. Chem. Lett. 5, 2675, 2014.
6. L. Kou, S.-C. Wu, C. Felser, T. Frauenheim, C. Chen and B. Yan, Robust 2D Topological Insulator in van der Waals heterostructures, ACS Nano 8, 10448, 2014.
7. L. Kou, B. Yan, F. Hu, S.-C. Wu, T. Wheling, C. Felser, C. Chen and T. Frauenheim, Graphene-Based Topological Insulator with an Intrinsic Bulk Band Gap above Room Temperature Nano Lett. 13, 6251, 2013.
8. L. Kou, C. Tang, W. Guo and C. Chen, Tunable Magnetism in Strained Graphene with Topological Line Defect, ACS Nano, 5, 1012, 2011.
9. L. Kou, C. Li, Z. Zhang and W. Guo, Tuning magnetism in Zigzag ZnO nanoribbons by transverse electric fields,ACS Nano, 4, 2124, 2010.
10. X. Han, L. Kou, et al. Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO nanowires, Adv. Mater. 21, 4937, 2009.
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